美光认为 4F² DRAM 内存无可行扩展路径，1ε 用晶圆键合、 ζÅ 用 High NA EUV

IT之家 10 月 22 日消息，Micron（美光）于当地时间昨日举办了 2026 年度技术网络研讨会，对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 的发展作出展望，本部分重点介绍基础 DRAM 技术。

美光指出，经过二十多年的技术探索，4F² DRAM 因复杂度和成本问题，缺乏可行的规模化路径。在传统 2D 6F² DRAM 面临尺寸缩小瓶颈的情况下，美光将 3D DRAM 视为未来发展方向。

IT之家注意到，长鑫存储此前曾表示计划于年内推出 4F² 混合键合 DDR5 RDIMM，同时有消息称三星电子在首代亚 10nm 级 DRAM 上放弃了 4F² 路线。

美光的第 7 代 10nm 级 DRAM 节点 1δ 正处于良率爬坡阶段；第 8 代 10nm 级节点 1ε 引入晶圆键合技术；第 1 代亚 10nm 级节点 ζÅ 处于早期开发阶段，将采用 High NA EUV 光刻；第 2 代亚 10nm 级节点 ηÅ 正在探索中，计划应用新材料。

美光表示，1δ 工艺可实现约 25% 的代际存储密度提升，并具备优化的成本。这项技术将广泛应用于 HBM5、vHBM、vEIM、LPDDR、DDR 等产品。

美光还提到，DRAM CMOS 逻辑电路也将实现 3D 化，从而带来显著的性能改善。